ATM2306NSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ATM2306NSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.047 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ATM2306NSA
ATM2306NSA Datasheet (PDF)
atm2306nsa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ATM2306NSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 30V Drain Current: 3.16ADESCRIPTIONThe ATM2306NSA uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(on) with low gate charge.This device is suitable for use as a load switch orDC/DC converter .FEATURESV =30V 1Gate 2Source 3DrainDS(V)SOT-23 Plastic PackageI =3.16ADR )47m@10V
atm2302bnsa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ATM2302BNSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 20V Drain Current: 3AFeatures Trench Power LV MOSFET technology High power and current handing capabilityR
atm2301psa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ATM2301PSAP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: -20V Drain Current: -2.5AFeatures Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate ChargeDS(on)R
atm2312nsa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ATM2312NSA N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETDrain-Source Voltage: 20V Continuous Drain Current: 5.0A FEATURES SOT-23 Small PackageSOT-23 V =20V, I =5ADS DR 31.8m@V =4.5VDS(ON) GSR 35.6m@V =2.5VDS(ON) GS Advanced Trench TechnologyAPPLICATIONS D Load Switching for portable Application3 DC/DC Converter1 2 G SSchematic d
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![ATM2306NSA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![ATM2306NSA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![ATM2306NSA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C