Справочник MOSFET. ATM2312NSA

 

ATM2312NSA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATM2312NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0318 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ATM2312NSA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM2312NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  agertech
atm2312nsa.pdfpdf_icon

ATM2312NSA

ATM2312NSA N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETDrain-Source Voltage: 20V Continuous Drain Current: 5.0A FEATURES SOT-23 Small PackageSOT-23 V =20V, I =5ADS DR 31.8m@V =4.5VDS(ON) GSR 35.6m@V =2.5VDS(ON) GS Advanced Trench TechnologyAPPLICATIONS D Load Switching for portable Application3 DC/DC Converter1 2 G SSchematic d

 9.1. Size:510K  agertech
atm2302bnsa.pdfpdf_icon

ATM2312NSA

ATM2302BNSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 20V Drain Current: 3AFeatures Trench Power LV MOSFET technology High power and current handing capabilityR

 9.2. Size:445K  agertech
atm2301psa.pdfpdf_icon

ATM2312NSA

ATM2301PSAP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: -20V Drain Current: -2.5AFeatures Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate ChargeDS(on)R

 9.3. Size:2272K  agertech
atm2306nsa.pdfpdf_icon

ATM2312NSA

ATM2306NSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 30V Drain Current: 3.16ADESCRIPTIONThe ATM2306NSA uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(on) with low gate charge.This device is suitable for use as a load switch orDC/DC converter .FEATURESV =30V 1Gate 2Source 3DrainDS(V)SOT-23 Plastic PackageI =3.16ADR )47m@10V

Другие MOSFET... AP8205A , AP83T03K , AP8810 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , 4435 , ATM2601PSG , ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , ATM4N65TE , ATM7002KNSA , ATM7002NSA .

History: TPC8301 | DMG6301UDW | RJK5026DPE | IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.