ATM3400ANSA - аналоги и даташиты транзистора

 

ATM3400ANSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ATM3400ANSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ATM3400ANSA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM3400ANSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:961K  agertech
 atm3400ansa.pdf pdf_icon

ATM3400ANSA

ATM3400ANSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 30V Drain Current: 5.8AFEATURESSOT-23 Trench FET Power MOSFET R

 7.1. Size:642K  agertech
 atm3400nsa.pdf pdf_icon

ATM3400ANSA

ATM3400NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: 30V Drain Current: 5.8A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on)R

 8.1. Size:1388K  agertech
 atm3401psa.pdf pdf_icon

ATM3400ANSA

ATM3401PSAP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: -30V Drain Current: -4.2AFeatures Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance andmaximum DC current capabilityR

 8.2. Size:569K  agertech
 atm3404nsa.pdf pdf_icon

ATM3400ANSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: 30V Drain Current: 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on)R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE , ATM2N65TF , IRF530 , ATM3404NSA , ATM4N65TE , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 .

History: LSE65R650HT | AP4953 | AP8205A

 

 
Back to Top

 


 
.