Справочник MOSFET. ATM8N80TF

 

ATM8N80TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATM8N80TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для ATM8N80TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM8N80TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  agertech
 atm8n80tf.pdf pdf_icon

ATM8N80TF

ATM8N80TF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 800V Continuous Drain Current: 8A DESCRIPTION The ATM8N80TF is a N-channel mode power MOSFET, it uses ATs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse

Другие MOSFET... ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , ATM4N65TE , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , IRFZ24N , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C , AONR21321 , AOTF4N60L , BLM2010E , IRFS240B .

History: JCS10N60CC | STD8NM60N | AP4451GH-HF | JCS90N10I | FDS2070N3 | RFP15N12 | IPA105N15N3G

 

 
Back to Top

 


 
.