ATM8N80TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ATM8N80TF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
Время нарастания (tr): 110 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO220F
ATM8N80TF Datasheet (PDF)
..1. Size:693K agertech
atm8n80tf.pdf
atm8n80tf.pdf
ATM8N80TF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 800V Continuous Drain Current: 8A DESCRIPTION The ATM8N80TF is a N-channel mode power MOSFET, it uses ATs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
