Справочник MOSFET. ATM8N80TF

 

ATM8N80TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATM8N80TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM8N80TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  agertech
 atm8n80tf.pdf pdf_icon

ATM8N80TF

ATM8N80TF N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 800V Continuous Drain Current: 8A DESCRIPTION The ATM8N80TF is a N-channel mode power MOSFET, it uses ATs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: P1006BD | NCEP045N85GU | TK32A12N1 | MS65R120C | PMGD780SN | PDD0906 | MEE7816S

 

 
Back to Top

 


 
.