Справочник MOSFET. AO3485

 

AO3485 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO3485
   Маркировка: CU*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.3 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 115 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AO3485

 

 

AO3485 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  aosemi
ao3485.pdf

AO3485
AO3485

AO348520V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO3485 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-4.5V) -4Avoltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

 9.1. Size:811K  aosemi
ao3480.pdf

AO3485
AO3485

AO348030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO3480 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 5.7Aextremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:342K  aosemi
ao3480c.pdf

AO3485
AO3485

AO3480C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:254K  aosemi
ao3487.pdf

AO3485
AO3485

AO348730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V The AO3487 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -4.3Adevice is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.4. Size:818K  aosemi
ao3481.pdf

AO3485
AO3485

AO348130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO3481 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate ID (at VGS=-10V) -4.0Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top