AONR21321 - описание и поиск аналогов

 

AONR21321. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR21321

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AONR21321

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21321 даташит

 ..1. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21321

AONR21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:318K  aosemi
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21321

AONR21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21321

AONR21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21321

AONR21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH , ATM8N80TF , AO3481 , AO3485 , AO3487 , AO4407C , IRF1407 , AOTF4N60L , BLM2010E , IRFS240B , IRFS244B , IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , IRFS620B .

History: AP9972GP | 2SK3047

 

 

 

 

↑ Back to Top
.