Справочник MOSFET. IRFS641

 

IRFS641 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS641
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS641

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS641 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS641

 8.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS641

 8.2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS641

 8.3. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS641

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS254B , IRFS340B , IRFS440B , IRFS620B , IRFS621 , IRFS624B , IRF624B , IRFS631 , IRF830 , IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 .

History: 2SJ604-S | 2SK2063

 

 
Back to Top

 


 
.