IRFS641 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFS641  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFS641

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS641 даташит

 ..1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS641

 8.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS641

 8.2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS641

 8.3. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS641

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS254B, IRFS340B, IRFS440B, IRFS620B, IRFS621, IRFS624B, IRF624B, IRFS631, 2N60, IRF720B, IRFS720B, AF2301P, APM2071PD, AMS4004, AMS4210, B1M160120HC, CE3512K2