C2M1000170J - описание и поиск аналогов

 

C2M1000170J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C2M1000170J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7L

Аналог (замена) для C2M1000170J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M1000170J даташит

 ..1. Size:1101K  cree
 c2m1000170j.pdf pdf_icon

C2M1000170J

VDS 1700 V ID @ 25 C 5.3 A C2M1000170J RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package TAB High blocking voltage with low RDS(on) Drain Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compli

 4.1. Size:622K  cree
 c2m1000170d.pdf pdf_icon

C2M1000170J

VDS 1700 V ID @ 25 C 4.9 A C2M1000170D RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 Higher System Effi

Другие MOSFET... IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , IRFZ48N , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S .

History: IRFZ48RSP | WM02P06H | SGSP330

 

 

 

 

↑ Back to Top
.