Справочник MOSFET. C2M1000170J

 

C2M1000170J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: C2M1000170J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L
 

 Аналог (замена) для C2M1000170J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M1000170J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1101K  cree
 c2m1000170j.pdf pdf_icon

C2M1000170J

VDS 1700 VID @ 25C 5.3 AC2M1000170J RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures PackageTAB High blocking voltage with low RDS(on)Drain Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compli

 4.1. Size:622K  cree
 c2m1000170d.pdf pdf_icon

C2M1000170J

VDS 1700 VID @ 25C 4.9 AC2M1000170D RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher System Effi

Другие MOSFET... IRF720B , IRFS720B , AF2301P , APM2071PD , AMS4004 , AMS4210 , B1M160120HC , CE3512K2 , RU7088R , C3M0065090D , C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S .

History: SM2011PSKP | IXFX120N65X2 | AP4224LGM-HF | AP4407I-HF | NVMTS0D7N06CL | AFN2376

 

 
Back to Top

 


 
.