AS2101W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AS2101W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AS2101W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AS2101W даташит

 ..1. Size:672K  anbon
 as2101w.pdf pdf_icon

AS2101W

 9.1. Size:478K  anbon
 as2102w.pdf pdf_icon

AS2101W

AS2102W N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 68m @4.5V 20V 2.1A 115m @2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-323 Marking TS2 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.

Другие IGBT... 2N7002ED, 2N7002ET, 2N7002EW, AD50N06S, AD90N03S, AO6385, AS0130KA, AS2003M, IRF9640, AS2102W, AS2300, AS2301, AS2302, AS2303, AS2304, AS2305, AS2307