Справочник MOSFET. ASDM30N55E

 

ASDM30N55E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM30N55E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для ASDM30N55E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30N55E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  ascend
 asdm30n55e.pdf pdf_icon

ASDM30N55E

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

 0.1. Size:348K  1
 asdm30n55e-r.pdf pdf_icon

ASDM30N55E

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

 7.1. Size:315K  1
 asdm30n65e-r.pdf pdf_icon

ASDM30N55E

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

 7.2. Size:315K  ascend
 asdm30n65e.pdf pdf_icon

ASDM30N55E

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ASDM20N12ZB , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA , ASDM3010 , ASDM3010S , ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , 2SK3878 , ASDM30N65E , ASDM30N90KQ , ASDM30P09ZB , ASDM30P11TD , ASDM30P30CTD , ASDM3400 , ASDM3400ZB , ASDM3401ZB .

History: SSF6814 | WMK05N100C2 | IRHQ57214SE | SWI6N65K

 

 
Back to Top

 


 
.