CR4N65A4K - описание и поиск аналогов

 

CR4N65A4K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CR4N65A4K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CR4N65A4K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CR4N65A4K даташит

 ..1. Size:434K  crhj
 cr4n65a4k.pdf pdf_icon

CR4N65A4K

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65 A4K General Description VDSS 650 V CR4N65 A4K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 75 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching

 8.1. Size:437K  crhj
 cr4n65fa9k.pdf pdf_icon

CR4N65A4K

Silicon N-Channel Power MOSFET CR4N65F A9K General Description VDSS 650 V CR4N65F A9K, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi

Другие MOSFET... ASDM3401ZB , ASDM3404ZA , ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S , ASDM4614S , ASDM65N18S , SPP20N60C3 , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N .

History: JMSL030STG | BSC240N12NS3G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.