Справочник MOSFET. CRST065N08N

 

CRST065N08N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRST065N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CRST065N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRST065N08N

CRST065N08N, CRSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100

 8.1. Size:564K  crhj
 crst060n10n crss057n10n.pdf pdf_icon

CRST065N08N

CRST060N10N, CRSS057N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 5.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRST065N08N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.2. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRST065N08N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STI6N80K5 | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | RDX050N50FU6 | CHMP830JGP-A | DMN2016UTS | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.