CRTD045N03L - описание и поиск аналогов

 

CRTD045N03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTD045N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 467 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CRTD045N03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD045N03L даташит

 ..1. Size:588K  crhj
 crtd045n03l.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD045N03L Trench N-MOSFET 30V, 3.1m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 3.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria Applications 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Motor control and drive Battery mana

 9.1. Size:647K  crhj
 crtd084ne6n.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 65V, 7.1m , 85A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 65V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 85A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.2. Size:538K  crhj
 crtd055n03l.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD055N03L ( ) Trench N-MOSFET 30V, 4.3m , 58A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 58A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.3. Size:560K  crhj
 crtd030n04l.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD030N04L ( ) Trench N-MOSFET 40V, 2.5m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N , CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , 5N60 , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L .

History: BSL315P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.