Справочник MOSFET. CRTD045N03L

 

CRTD045N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRTD045N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 467 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD045N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  crhj
 crtd045n03l.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD045N03LTrench N-MOSFET 30V, 3.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 3.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteriaApplications100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS Tested Motor control and drive Battery mana

 9.1. Size:647K  crhj
 crtd084ne6n.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD084NE6N() Trench N-MOSFET 65V, 7.1m, 85AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 65V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID85A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.2. Size:538K  crhj
 crtd055n03l.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD055N03L() Trench N-MOSFET 30V, 4.3m, 58AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID58A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.3. Size:560K  crhj
 crtd030n04l.pdf pdf_icon

CRTD045N03L

CRTD030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.5m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLZ44ZL | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | IXTP1N100 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.