Справочник MOSFET. CRTS030N04L

 

CRTS030N04L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRTS030N04L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 111 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 686 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CRTS030N04L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTS030N04L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  crhj
 crts030n04l.pdf pdf_icon

CRTS030N04L

CRTS030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.8m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con

 9.1. Size:485K  1
 crts084ne6n.pdf pdf_icon

CRTS030N04L

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

 9.2. Size:485K  crhj
 crts084ne6n.pdf pdf_icon

CRTS030N04L

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

 9.3. Size:496K  crhj
 crts095n12n.pdf pdf_icon

CRTS030N04L

CRTS095N12N() Trench N-MOSFET 120V, 7m, 112AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID112A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , IRF2807 , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T .

History: IPI65R190C6 | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | IPL65R660E6 | NDT15N10

 

 
Back to Top

 


 
.