CRTT029N06N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CRTT029N06N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 254 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 220 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 183 nC
Время нарастания (tr): 118 ns
Выходная емкость (Cd): 1208 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для CRTT029N06N
CRTT029N06N Datasheet (PDF)
crtt029n06n.pdf
CRTT029N06N() Trench N-MOSFET 60V, 2.3m, 160AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID160A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalan
crtt056n06n.pdf
CRTT056N06N() Trench N-MOSFET 60V, 4.2m, 110AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID110A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor c
crtt084ne6n.pdf
CRTT084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 7.1m, 81AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID81A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
