SSF10N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSF10N60A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSF10N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF10N60A даташит

 ..1. Size:255K  fairchild semi
 ssf10n60a.pdf pdf_icon

SSF10N60A

SSF10N60A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) 0.646 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

 6.1. Size:531K  silikron
 ssf10n60.pdf pdf_icon

SSF10N60A

 6.2. Size:528K  silikron
 ssf10n60f.pdf pdf_icon

SSF10N60A

 7.1. Size:532K  silikron
 ssf10n65.pdf pdf_icon

SSF10N60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SML80H12, SML80H14, SML80J25, SML80J28, SML80J44, SML80L27, SML80S13, SML80T27, IRF1405, SSF10N80A, SSF10N90A, SSF17N60A, SSF22N50A, SSF25N40A, SSF45N20A, SSF4N80AS, SSF4N90AS