Справочник MOSFET. SSF10N60A

 

SSF10N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF10N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SSF10N60A

 

 

SSF10N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  fairchild semi
 ssf10n60a.pdf

SSF10N60A SSF10N60A

SSF10N60AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 0.646 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

 6.1. Size:531K  silikron
 ssf10n60.pdf

SSF10N60A SSF10N60A

SSF10N60 Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.69 (typ.) ID 10A Marking a nd p in Schematic diagram TO-220 Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 6.2. Size:528K  silikron
 ssf10n60f.pdf

SSF10N60A SSF10N60A

SSF10N60F Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.69ohm(typ.) ID 10A Marking and p in TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:532K  silikron
 ssf10n65.pdf

SSF10N60A SSF10N60A

SSF10N65 Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.9 (typ.) ID 10A Marking a nd p in Schematic diagram TO-220 Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие MOSFET... SML80H12 , SML80H14 , SML80J25 , SML80J28 , SML80J44 , SML80L27 , SML80S13 , SML80T27 , AON6380 , SSF10N80A , SSF10N90A , SSF17N60A , SSF22N50A , SSF25N40A , SSF45N20A , SSF4N80AS , SSF4N90AS .

 

 
Back to Top