AG10N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AG10N65S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для AG10N65S
AG10N65S Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , IRF9540 , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S .
History: IRF3709ZL | SI7137DP | VBA3316G | UPA2738GR | SUD19P06-60 | JCS13N90ABA | NDT4N65P
History: IRF3709ZL | SI7137DP | VBA3316G | UPA2738GR | SUD19P06-60 | JCS13N90ABA | NDT4N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370