AG10N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AG10N65S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AG10N65S Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , IRF9540 , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK080P03A | JMTK068N07A | JMTK060P03A | JMTK060N06A | JMTK050P03A | JMTK035N04L | JMTK018N03A | JMTI60N04A | JMTI50N06B | JMTI320N10A | JMTI3005A | JMTI290N06A | JMTI210P02A | JMTI10N10A | JMTI080P03A | JMTI080N02A
Popular searches
2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370