Справочник MOSFET. AG10N65S

 

AG10N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AG10N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для AG10N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AG10N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1737K  anbon
at10n65s af10n65s ak10n65s ag10n65s.pdfpdf_icon

AG10N65S

 8.1. Size:1903K  anbon
at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdfpdf_icon

AG10N65S

Другие MOSFET... AS8205M , AT10N60S , AF10N60S , AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , IRF9540 , AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S .

History: IRF3709ZL | SI7137DP | VBA3316G | UPA2738GR | SUD19P06-60 | JCS13N90ABA | NDT4N65P

 

 
Back to Top

 


 
.