12N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 12N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 12N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12N60B даташит

 ..1. Size:953K  chongqing pingwei
 12n60 12n60f 12n60b 12n60h.pdf pdf_icon

12N60B

 0.1. Size:271K  1
 hgtp12n60b3 hgt1s12n60b3 hgt1s12n60b3s.pdf pdf_icon

12N60B

 0.2. Size:759K  1
 hgtp12n60b3d hgtg12n60b3d hgt1s12n60b3d hgt1s12n60b3ds.pdf pdf_icon

12N60B

 0.3. Size:71K  ixys
 ixga12n60b ixgp12n60b.pdf pdf_icon

12N60B

IXGA 12N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 12N60B IC25 = 24 A VCE(sat) = 2.1 V tfi(typ) = 120 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A IC90 TC = 90 C12 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AT8N60S, AF8N60S, AK8N60S, AG8N60S, 100N10NF, 10N50TF, 11N65GS, 11N65TFS, IRF730, 12N60H, 12N65, 12N65F, 12N65B, 12N65H, 12N65TF, 13N50MF, 150N06Y