Справочник MOSFET. 12N60B

 

12N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 12N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 12N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:953K  chongqing pingwei
 12n60 12n60f 12n60b 12n60h.pdf pdf_icon

12N60B

 0.1. Size:271K  1
 hgtp12n60b3 hgt1s12n60b3 hgt1s12n60b3s.pdf pdf_icon

12N60B

 0.2. Size:759K  1
 hgtp12n60b3d hgtg12n60b3d hgt1s12n60b3d hgt1s12n60b3ds.pdf pdf_icon

12N60B

 0.3. Size:71K  ixys
 ixga12n60b ixgp12n60b.pdf pdf_icon

12N60B

IXGA 12N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGP 12N60B IC25 = 24 AVCE(sat) = 2.1 Vtfi(typ) = 120 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AT8N60S , AF8N60S , AK8N60S , AG8N60S , 100N10NF , 10N50TF , 11N65GS , 11N65TFS , IRF520 , 12N60H , 12N65 , 12N65F , 12N65B , 12N65H , 12N65TF , 13N50MF , 150N06Y .

History: IRF623 | CI28N120SM | 2N5454

 

 
Back to Top

 


 
.