SSF4N80AS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSF4N80AS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSF4N80AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF4N80AS даташит

 ..1. Size:208K  samsung
 ssf4n80as.pdf pdf_icon

SSF4N80AS

SSF4N80AS Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 2.450 (Typ.)c 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

 9.1. Size:206K  samsung
 ssf4n90as.pdf pdf_icon

SSF4N80AS

SSF4N90AS Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.7 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 3.054 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

 9.2. Size:510K  silikron
 ssf4n60g.pdf pdf_icon

SSF4N80AS

SSF4N60G Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.85 (typ.) ID 4A TO-251 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 9.3. Size:518K  silikron
 ssf4n60d.pdf pdf_icon

SSF4N80AS

SSF4N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 2.0 (typ.) ID 4A TO-252 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SML80T27, SSF10N60A, SSF10N80A, SSF10N90A, SSF17N60A, SSF22N50A, SSF25N40A, SSF45N20A, IRFB7545, SSF4N90AS, SSF5N80A, SSF5N90A, SSF6N70A, SSF6N80A, SSF6N90A, SSF70N10A, SSF7N60A