4N65H - описание и поиск аналогов

 

4N65H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4N65H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 4N65H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N65H даташит

 ..1. Size:868K  chongqing pingwei
 4n65 4n65f 4n65b 4n65h 4n65g 4n65d.pdf pdf_icon

4N65H

 0.1. Size:239K  kia
 kia4n65h.pdf pdf_icon

4N65H

4.0A650V N-CHANNELMOSFET 4N65H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Thes

Другие MOSFET... 18N50MF , 20N65NF , 25N06G , 47N60YS , 4N60B , 4N60H , 4N65F , 4N65B , AO4407A , 4N65G , 4N65D , 4N65TF , 50N06B , 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.