FKBA3004 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FKBA3004
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 58 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.6 nC
Время нарастания (tr): 12.2 ns
Выходная емкость (Cd): 163 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PRPAK5X6
FKBA3004 Datasheet (PDF)
fkba3004.pdf
FKBA3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 8.5m 30V 58A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3004 is the high cell density trenched N-ch MOSF
fkba3004.pdf
FKBA3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 8.5m 30V 58A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3004 is the high cell density trenched N-ch MOSF
fkba3006.pdf
FKBA3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 81A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3006 is the high cell density trenched N-ch MOSF
fkba3006.pdf
FKBA3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 81A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3006 is the high cell density trenched N-ch MOSF
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCE65TF130T | LTP70N06P | HY3506B | HY3506P | DP3080 | CRSS035N10N | CRST037N10N | S85N16S | S85N16RP | S85N16RN | S85N16R | S85N048S | S85N042S | S85N042RP | S85N042RN | S85N042R