FKBA3004 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FKBA3004
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PRPAK5X6
FKBA3004 Datasheet (PDF)
fkba3004.pdf
FKBA3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 8.5m 30V 58A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3004 is the high cell density trenched N-ch MOSF
fkba3004.pdf
FKBA3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 8.5m 30V 58A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3004 is the high cell density trenched N-ch MOSF
fkba3006.pdf
FKBA3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 81A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3006 is the high cell density trenched N-ch MOSF
fkba3006.pdf
FKBA3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 81A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3006 is the high cell density trenched N-ch MOSF
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918