Справочник MOSFET. FKBB3004

 

FKBB3004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FKBB3004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
 

 Аналог (замена) для FKBB3004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKBB3004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  1
 fkbb3004.pdf pdf_icon

FKBB3004

FKBB3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench 9m 30V 46A technology PRPAK3X3 Pin Configuration Description The FKBB3004 is the high cell density trenched N-ch MOS

 ..2. Size:468K  fetek
 fkbb3004.pdf pdf_icon

FKBB3004

FKBB3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench 9m 30V 46A technology PRPAK3X3 Pin Configuration Description The FKBB3004 is the high cell density trenched N-ch MOS

 7.1. Size:458K  1
 fkbb3002.pdf pdf_icon

FKBB3004

FKBB3002 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 5 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 30V 18m 28A technology Description PRPAK3X3 Pin Configuration The FKBB3002 is the high cell density trenched N-ch MOSFE

 7.2. Size:458K  fetek
 fkbb3002.pdf pdf_icon

FKBB3004

FKBB3002 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 5 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 30V 18m 28A technology Description PRPAK3X3 Pin Configuration The FKBB3002 is the high cell density trenched N-ch MOSFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , 10N60 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C .

History: 50N06A | AP9475GM | BSC016N03LSG

 

 
Back to Top

 


 
.