DM4N65E-F - описание и поиск аналогов

 

DM4N65E-F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DM4N65E-F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 53.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для DM4N65E-F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM4N65E-F даташит

 7.1. Size:4587K  desay
 dm4n65e.pdf pdf_icon

DM4N65E-F

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM4N65E RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , IRF3710 , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F .

History: SNN01Z10Q | RUH1H150T | BSC067N06LS3G | SWB16N65K | HYG055N08NS1P | BSC050N03LSG | KDW2503N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.