DM10N65C-F - аналоги и даташиты транзистора

 

DM10N65C-F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DM10N65C-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DM10N65C-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM10N65C-F Datasheet (PDF)

 6.1. Size:6079K  desay
 dm10n65c.pdf pdf_icon

DM10N65C-F

Другие MOSFET... DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , AON7408 , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V .

History: NCE01P18D | KI10P40DY

 

 
Back to Top

 


 
.