DM10N65C-2 - аналоги и даташиты транзистора

 

DM10N65C-2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DM10N65C-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO262 TO263
 

 Аналог (замена) для DM10N65C-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM10N65C-2 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:6079K  desay
 dm10n65c.pdf pdf_icon

DM10N65C-2

Другие MOSFET... DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , IRF9540 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G .

History: PHB37N06LT | RFP22N10 | SUN0550F | DM12N65C | 2SK2145

 

 
Back to Top

 


 
.