DM10N65C-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DM10N65C-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO262 TO263
Аналог (замена) для DM10N65C-2
DM10N65C-2 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , 7N65 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G .
History: AM7431P | 50N06A | TK30J25D | AP9475GM | SPP03N60S5 | FS10UM-9
History: AM7431P | 50N06A | TK30J25D | AP9475GM | SPP03N60S5 | FS10UM-9
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet