Справочник MOSFET. SSF6N80A

 

SSF6N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF6N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SSF6N80A

 

 

SSF6N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  1
 ssf6n80a.pdf

SSF6N80A SSF6N80A

SSF6N80AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 0.1. Size:423K  silikron
 ssf6n80a6.pdf

SSF6N80A SSF6N80A

SSF6N80A6 Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 2.2 (typ.) ID 5.5A Marking and p in TO-262 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:532K  silikron
 ssf6n80f.pdf

SSF6N80A SSF6N80A

SSF6N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 2.2 (typ.) ID 5.5A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body reco

 7.2. Size:478K  silikron
 ssf6n80g.pdf

SSF6N80A SSF6N80A

SSF6N80G Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 2.35 (typ.) ID 5.5A Marking and p in TO-251 (IPAK) Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top