Справочник MOSFET. EMB09P03V

 

EMB09P03V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMB09P03V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: EDFN3X3
 

 Аналог (замена) для EMB09P03V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB09P03V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  1
 emb09p03v.pdf pdf_icon

EMB09P03V

EMB09P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9.5mID24AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

 ..2. Size:204K  emc
 emb09p03v.pdf pdf_icon

EMB09P03V

EMB09P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9.5mID24AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

 9.1. Size:206K  1
 emb09n03v.pdf pdf_icon

EMB09P03V

EMB09N03VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9mID20AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

 9.2. Size:291K  1
 emb09a3hp.pdf pdf_icon

EMB09P03V

EMB09A3HPNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorS2 S2 S2 G2ProductSummary:NCHQ1NCHQ2D2 / S1BVDSS30V30VRDSON(MAX.)9.5m9.5mD1ID15A15APIN 1D1 D1 D1(G1)UIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , IRF1010E , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G .

History: HFS12N60S | STD30NF06LT4 | SHD224701 | IRLML6246TRPBF | PTA03N150 | APT5018BFLL | BL10N80-P

 

 
Back to Top

 


 
.