EMB12P03G - описание и поиск аналогов

 

EMB12P03G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB12P03G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для EMB12P03G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB12P03G даташит

 ..1. Size:180K  emc
 emb12p03g.pdf pdf_icon

EMB12P03G

EMB12P03G P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.)(VGS= 10V) 10m ID 13A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Vo

 6.1. Size:191K  1
 emb12p03v.pdf pdf_icon

EMB12P03G

EMB12P03V P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 12m ID 21A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

 6.2. Size:191K  emc
 emb12p03v.pdf pdf_icon

EMB12P03G

EMB12P03V P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 12m ID 21A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

 9.1. Size:192K  1
 emb12n04v.pdf pdf_icon

EMB12P03G

EMB12N04V N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 40V RDSON (MAX.) 12.8m ID 18A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , IRLB4132 , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.