EMB20N03V - описание и поиск аналогов

 

EMB20N03V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB20N03V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: EDFN3X3

Аналог (замена) для EMB20N03V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB20N03V даташит

 ..1. Size:204K  1
 emb20n03v.pdf pdf_icon

EMB20N03V

EMB20N03V N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 12A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20

 ..2. Size:204K  emc
 emb20n03v.pdf pdf_icon

EMB20N03V

EMB20N03V N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 12A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20

 9.1. Size:57K  nxp
 pemb20 pumb20.pdf pdf_icon

EMB20N03V

PEMB20; PUMB20 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 03 1 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP resistor-equipped transistors Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP NPN/NPN complement complement NXP JEITA PEMB20 SOT666 - PEMD20 PEMH20 PUMB20 SOT363 SC-88 PUMD20 PUMH20 1.2 Features

 9.2. Size:191K  china
 emb20p03v.pdf pdf_icon

EMB20N03V

EMB20P03V P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 18A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , 4435 , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS .

History: EMB12P03V | SWU10N70D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.