SSF6N90A - описание и поиск аналогов

 

SSF6N90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6N90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для SSF6N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6N90A даташит

 ..1. Size:206K  1
ssf6n90a.pdfpdf_icon

SSF6N90A

 9.1. Size:263K  1
ssf6n80a.pdfpdf_icon

SSF6N90A

SSF6N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.472 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 9.2. Size:213K  1
ssf6n70a.pdfpdf_icon

SSF6N90A

 9.3. Size:532K  silikron
ssf6n80f.pdfpdf_icon

SSF6N90A

SSF6N80F Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 2.2 (typ.) ID 5.5A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body reco

Другие MOSFET... SSF25N40A , SSF45N20A , SSF4N80AS , SSF4N90AS , SSF5N80A , SSF5N90A , SSF6N70A , SSF6N80A , AOD4184A , SSF70N10A , SSF7N60A , SSF7N80A , SSF7N90A , SSF80N06A , SSF8N80A , SSF8N90A , SSF9N80A .

History: BUZ72A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.