Справочник MOSFET. AP4410M

 

AP4410M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4410M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4410M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4410M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  ape
 ap4410m.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410MAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow On-Resistance BVDSS 30V DDFast Switching D RDS(ON) 13.5m DSimple Drive Requirement ID 10A GSSSO-8SDescriptionDDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugged

 8.1. Size:57K  ape
 ap4410agm.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Low On-resistance RDS(ON) 13.5mDD Fast Switching Characteristic ID 10AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 8.2. Size:54K  ape
 ap4410agm-hf.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Low On-resistance RDS(ON) 13.5mDD Fast Switching Characteristic ID 10AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of

 8.3. Size:202K  ape
 ap4410gm.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VDD Fast Switching D RDS(ON) 13.5mD Simple Drive Requirement ID 10AGSSSO-8SDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.