AP4410M - описание и поиск аналогов

 

AP4410M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4410M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4410M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4410M даташит

 ..1. Size:89K  ape
 ap4410m.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410M Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D D Fast Switching D RDS(ON) 13.5m D Simple Drive Requirement ID 10A G S S SO-8 S Description D D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged

 8.1. Size:57K  ape
 ap4410agm.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 13.5m D D Fast Switching Characteristic ID 10A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device d

 8.2. Size:54K  ape
 ap4410agm-hf.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 13.5m D D Fast Switching Characteristic ID 10A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 8.3. Size:202K  ape
 ap4410gm.pdf pdf_icon

AP4410M

AP4410GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D D Fast Switching D RDS(ON) 13.5m D Simple Drive Requirement ID 10A G S S SO-8 S Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , CS150N03A8 , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , AP9977GM-HF , AP9985GM-HF , AP9T18GH-HF , FBM75N68P .

History: TK65A10N1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.