Справочник MOSFET. SSF7N60A

 

SSF7N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF7N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SSF7N60A

 

 

SSF7N60A Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF4N80AS , SSF4N90AS , SSF5N80A , SSF5N90A , SSF6N70A , SSF6N80A , SSF6N90A , SSF70N10A , CEP83A3 , SSF7N80A , SSF7N90A , SSF80N06A , SSF8N80A , SSF8N90A , SSF9N80A , SSF9N90A , SSH10N60A .