Справочник MOSFET. MTC3588BDFA6

 

MTC3588BDFA6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC3588BDFA6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для MTC3588BDFA6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC3588BDFA6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  cystek
 mtc3588bdfa6.pdf pdf_icon

MTC3588BDFA6

Spec. No. : C102DFA6 Issued Date : 2015.12.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.05.03 Page No. : 1/13 N- And P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3588BDFA6 14V -14VBVDSS 6A(VGS=4.5V) -4A(VGS=-4.5 V) ID 16.6m(VGS=4.5V) 43m(VGS=-4.5V) 23.7m(VGS=2.5V) 63.6m(VGS=-2.5V) RDSON(TYP.) 38.5m(VGS=1.8V) 86.5m(VGS=-1.8V) 66.3m(VGS=1.5V) 15

 7.1. Size:498K  cystek
 mtc3588n6.pdf pdf_icon

MTC3588BDFA6

Spec. No. : C102N6 Issued Date : 2015.08.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2017.03.30 Page No. : 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTC3588N6 BVDSS 14V -14VID @ TA=25 C 5.4A(VGS=4.5V) -3.6A(VGS=-4.5 V) 17.6m(VGS=4.5V) 45.1m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 24.7m(VGS=2.5V) 65.6m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requirement

 8.1. Size:408K  cystek
 mtc3585g6.pdf pdf_icon

MTC3588BDFA6

Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.13 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3585G6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Features Simple drive requirement

 8.2. Size:403K  cystek
 mtc3585n6.pdf pdf_icon

MTC3588BDFA6

Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.09.06 Page No. : 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC3585N6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Description The MTC3585N6 consist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , IRF2807 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 .

History: KIA3402 | BRFL8N60 | CS2N80A3HY | WMJ90R260S | MC3541 | SWT18N50D | ME7170-G

 

 
Back to Top

 


 
.