Справочник MOSFET. MTC3588N6

 

MTC3588N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTC3588N6
   Маркировка: 3588
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для MTC3588N6

 

 

MTC3588N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  cystek
 mtc3588n6.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C102N6 Issued Date : 2015.08.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2017.03.30 Page No. : 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTC3588N6 BVDSS 14V -14VID @ TA=25 C 5.4A(VGS=4.5V) -3.6A(VGS=-4.5 V) 17.6m(VGS=4.5V) 45.1m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 24.7m(VGS=2.5V) 65.6m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requirement

 7.1. Size:501K  cystek
 mtc3588bdfa6.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C102DFA6 Issued Date : 2015.12.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.05.03 Page No. : 1/13 N- And P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3588BDFA6 14V -14VBVDSS 6A(VGS=4.5V) -4A(VGS=-4.5 V) ID 16.6m(VGS=4.5V) 43m(VGS=-4.5V) 23.7m(VGS=2.5V) 63.6m(VGS=-2.5V) RDSON(TYP.) 38.5m(VGS=1.8V) 86.5m(VGS=-1.8V) 66.3m(VGS=1.5V) 15

 8.1. Size:408K  cystek
 mtc3585g6.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.13 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3585G6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Features Simple drive requirement

 8.2. Size:403K  cystek
 mtc3585n6.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.09.06 Page No. : 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC3585N6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Description The MTC3585N6 consist

 8.3. Size:431K  cystek
 mtc3586dfa6.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C835DFA6 Issued Date : 2013.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3586DFA6 BVDSS 20V -20VID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)Description 82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)The MTC3586DFA6 consis

 8.4. Size:467K  cystek
 mtc3586bdfa6.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C835DFA6 Issued Date : 2015.11.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2018.05.03 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3586BDFA6 BVDSS 20V -20VID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)Description 82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)The MTC3586BDFA6 cons

 8.5. Size:512K  cystek
 mtc3587dl8.pdf

MTC3588N6 MTC3588N6

Spec. No. : C093L8 Issued Date : 2016.09.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2017.09.29 Page No. : 1/13 N- and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTC3587DL8 N-CH P-CHBVDSS 20V -20V 4.9A(VGS=4.5V) -3.9A(VGS=-4.5 V) ID @ TA=25C Features 32m(VGS=4.5V) 50m(VGS=-4.5V) Simple drive requirement RDSON(TYP.) 43m(VGS=2.5V) 62m(VGS=-2.5V) Low gat

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top