MTP4435AQ8 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTP4435AQ8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTP4435AQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTP4435AQ8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4435AQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  cystek
mtp4435aq8.pdfpdf_icon

MTP4435AQ8

Spec. No. : C107Q8 Issued Date : 2015.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2015.12.15 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP4435AQ8 ID@ VGS=-10V, TA=25C -12.3A 12.3m(typ.) RDSON @VGS=-10V, ID=-8A 17.5m(typ.) RDSON @VGS=-4.5V, ID=-5A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed

 6.1. Size:1125K  jiejie micro
jmtp4435a.pdfpdf_icon

MTP4435AQ8

JMTP4435ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -10A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:328K  cystek
mtp4435v8.pdfpdf_icon

MTP4435AQ8

Spec. No. : C391V8 Issued Date : 2012.09.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTP4435V8 ID -40A10.3m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 15m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A Description The MTP4435V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of

 9.1. Size:621K  cystek
mtp4403sq8.pdfpdf_icon

MTP4435AQ8

Spec. No. : C804Q8 Issued Date : 2009.12.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP4403SQ8 RDSON(MAX) 46m ID -6.1ADescription The MTP4403SQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

Другие MOSFET... MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , NCEP15T14 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 , C2M120W040 , C2M120W080 .

History: TPB65R075DFD | SI7485DP | TPB80R750C | NCE60P45K | BUK7K18-40E | SRT04N016LTC-GS

 

 
Back to Top

 


 
.