Справочник MOSFET. CS12N65P

 

CS12N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS12N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CS12N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS12N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  convert
cs12n65f cs12n65p.pdfpdf_icon

CS12N65P

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS12N65F,CS12N65P650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS12N65F TO-220F CS12N65FCS

 7.1. Size:1140K  1
jcs12n65t.pdfpdf_icon

CS12N65P

N RN-CHANNEL MOSFETJCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson@Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 7.2. Size:1489K  jilin sino
jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdfpdf_icon

CS12N65P

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 7.3. Size:1410K  jilin sino
jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdfpdf_icon

CS12N65P

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие MOSFET... CS10N90V , CS11N65F , CS11N65P , CS11N70F , CS11N90V , CS11N90VF , CS12N60P , CS12N65F , IRFZ44 , CS12N65FF , CS12N80F , CS12N80V , CS13N60P , CS13N60F , CS13N65P , CS13N65F , CS14N80V .

History: TPC8065-H

 

 
Back to Top

 


 
.