Справочник MOSFET. CS15N50P

 

CS15N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS15N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для CS15N50P

 

 

CS15N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  convert
 cs15n50f cs15n50p.pdf

CS15N50P CS15N50P

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS15N50F,CS15N50P500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS15N50F TO-220F CS15N50FCS

 7.1. Size:229K  crhj
 cs15n50 a8r.pdf

CS15N50P CS15N50P

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50 A8R General Description VDSS 500 V CS15N50 A8R, the silicon N-channel Enhanced ID 15 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.3 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.2. Size:231K  crhj
 cs15n50f a9r.pdf

CS15N50P CS15N50P

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50F A9R General Description VDSS 500 V CS15N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 15 A PD(TC=25) 70 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.3 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.3. Size:231K  wuxi china
 cs15n50fa9r.pdf

CS15N50P CS15N50P

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50F A9R General Description VDSS 500 V CS15N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 15 A PD(TC=25) 70 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.3 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY5110A

 

 
Back to Top