SSF9N90A - описание и поиск аналогов

 

SSF9N90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF9N90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для SSF9N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF9N90A даташит

 ..1. Size:943K  samsung
 ssf9n90a.pdf pdf_icon

SSF9N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 0.938 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 7.1. Size:501K  silikron
 ssf9n90zh.pdf pdf_icon

SSF9N90A

 9.1. Size:935K  samsung
 ssf9n80a.pdf pdf_icon

SSF9N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSF70N10A , SSF7N60A , SSF7N80A , SSF7N90A , SSF80N06A , SSF8N80A , SSF8N90A , SSF9N80A , IRF840 , SSH10N60A , SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , SSH15N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.