CS18N50V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS18N50V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 36.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
CS18N50V Datasheet (PDF)
cs18n50f cs18n50p cs18n50v cs18n50w.pdf
CS18N50F,CS18N50P,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS18N50V,CS18N50W500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS18N50F
cs18n50f cs18n50p cs18n50v.pdf
nvertCS18N50F,CS18N50P,CS18N50VSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS18N50F TO-220F CS1
jcs18n50wh.pdf
N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WH ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 50nC APPLICATIONS (u l High efficiency swi
jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf
N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss@Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS
jcs18n50we jcs18n50abe.pdf
N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918