Справочник MOSFET. CS1N70SU

 

CS1N70SU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1N70SU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CS1N70SU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N70SU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  convert
 cs1n70su cs1n70sf.pdf pdf_icon

CS1N70SU

nvertCS1N70SU, CS1N70SFSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS1N70SU TO-251 CS1N70SUCS

 8.1. Size:496K  jilin sino
 jcs1n70tc.pdf pdf_icon

CS1N70SU

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1N70TC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 1A VDSS 700 V Rdson 18 @Vgs=10VQg 4.41nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast Power factor correction

 8.2. Size:445K  crhj
 cs1n70 a3h-g.pdf pdf_icon

CS1N70SU

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS1N70 A3H-G, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25) 25 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 8.3. Size:443K  wuxi china
 cs1n70a3h-g.pdf pdf_icon

CS1N70SU

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS1N70 A3H-G, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25) 25 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS18N20BP , CS18N20BB , CS18N50F , CS18N50P , CS18N50V , CS18N50W , CS18N70F , CS18N70V , 5N60 , CS1N70SF , CS20N60F , CS20N60P , CS20N60W , CS20N60V , CS20N65F , CS20N65P , CS20N65V .

History: SI3429EDV | FQPF7N10 | CS2N50DP | PSMN035-150B | FQT1N60CTFWS | IXFX73N30Q | AP10TN040P

 

 
Back to Top

 


 
.