CS1N70SF - описание и поиск аналогов

 

CS1N70SF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS1N70SF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS1N70SF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N70SF даташит

 ..1. Size:397K  convert
 cs1n70su cs1n70sf.pdf pdf_icon

CS1N70SF

nvert CS1N70SU, CS1N70SF Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 700V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS1N70SU TO-251 CS1N70SU CS

 8.1. Size:496K  jilin sino
 jcs1n70tc.pdf pdf_icon

CS1N70SF

N R N-CHANNEL MOSFET JCS1N70TC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 1A VDSS 700 V Rdson 18 @Vgs=10V Qg 4.41nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast Power factor correction

 8.2. Size:445K  crhj
 cs1n70 a3h-g.pdf pdf_icon

CS1N70SF

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS1N70 A3H-G, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25 ) 25 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 8.3. Size:443K  wuxi china
 cs1n70a3h-g.pdf pdf_icon

CS1N70SF

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS1N70 A3H-G, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A PD (TC=25 ) 25 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 13 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS18N20BB , CS18N50F , CS18N50P , CS18N50V , CS18N50W , CS18N70F , CS18N70V , CS1N70SU , AO3401 , CS20N60F , CS20N60P , CS20N60W , CS20N60V , CS20N65F , CS20N65P , CS20N65V , CS20N65W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.