Справочник MOSFET. CS20N65P

 

CS20N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS20N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 249.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CS20N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS20N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  convert
cs20n65f cs20n65p cs20n65v cs20n65w.pdfpdf_icon

CS20N65P

nvertCS20N65F,CS20N65P,CS20N65V,CS20N65WSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and PackageInformationDevice Package MarkingCS20N65F T

 7.1. Size:806K  jilin sino
jcs20n65fei.pdfpdf_icon

CS20N65P

N RN-CHANNEL MOSFETJCS20N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650V Rdson-max0.42 Vgs=10V Qg-Typ 64.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 7.2. Size:826K  jilin sino
jcs20n65fh jcs20n65wh.pdfpdf_icon

CS20N65P

N RN-CHANNEL MOSFET JCS20N65H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.5 @Vgs=10V Qg-typ 45nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.3. Size:431K  crhj
cs20n65f a9h.pdfpdf_icon

CS20N65P

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS20N65F A9H VDSS 650 V General Description ID 20 A CS20N65F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.37 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Другие MOSFET... CS18N70V , CS1N70SU , CS1N70SF , CS20N60F , CS20N60P , CS20N60W , CS20N60V , CS20N65F , IRFB3607 , CS20N65V , CS20N65W , CS2N100F , CS2N100P , CS2N100U , CS2N100D , CS2N100LF , CS2N50DF .

History: AP9412CGM-HF | AP9412AGH | 2SK3158 | IRFP22N50APBF | 2SK3080 | SVF7N60CS

 

 
Back to Top

 


 
.