CS2N50DD - описание и поиск аналогов

 

CS2N50DD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2N50DD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS2N50DD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N50DD даташит

 ..1. Size:452K  convert
 cs2n50df cs2n50dp cs2n50dd cs2n50du.pdf pdf_icon

CS2N50DD

CS2N50DF, CS2N50DP, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS2N50DD,CS2N50DU 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS2N50D

 8.1. Size:357K  wuxi china
 cs2n50a4.pdf pdf_icon

CS2N50DD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие MOSFET... CS20N65W , CS2N100F , CS2N100P , CS2N100U , CS2N100D , CS2N100LF , CS2N50DF , CS2N50DP , NCEP15T14 , CS2N50DU , CS2N60P , CS2N60U , CS2N60C , CS2N65F , CS2N65D , CS2N65U , CS2N70HF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.