CS40N20F - описание и поиск аналогов

 

CS40N20F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS40N20F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS40N20F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS40N20F даташит

 ..1. Size:222K  crhj
 cs40n20f a9h.pdf pdf_icon

CS40N20F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS40N20F A9H General Description VDSS 200 V CS40N20FA9H the silicon N-channel Enhanced ID 40 A PD (TC=25 ) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.054 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in variou

 ..2. Size:216K  crhj
 cs40n20f a9e.pdf pdf_icon

CS40N20F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS40N20F A9E General Description VDSS 200 V CS40N20F A9E the silicon N-channel Enhanced ID 40 A PD (TC=25 ) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.047 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in vari

 ..3. Size:800K  convert
 cs40n20f cs40n20p.pdf pdf_icon

CS40N20F

nvert CS40N20F,CS40N20P Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 200V N-Channel MOSFET FEATURES Proprietary New Planar Technology RDS(ON),typ.=50m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode APPLICATIONS DC-DC Converters DC-AC Inverters for UPS SMPS and Motor controls Device Marking and Package Information Device Package

 7.1. Size:216K  crhj
 cs40n20 a8.pdf pdf_icon

CS40N20F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS40N20 A8 General Description VDSS 200 V CS40N20 A8 the silicon N-channel Enhanced ID 40 A PD (TC=25 ) 250 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.054 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS3N80BF, CS3N80BP, CS3N80BU, CS3N80BL, CS3N80BK, CS3N90F, CS3N90P, CS3N90B, IRF3205, CS40N20P, CS4N100F, CS4N100V, CS4N100VF, CS4N150V, CS4N150W, CS4N150VF, CS4N60P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.