Справочник MOSFET. SSH17N60A

 

SSH17N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH17N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 128 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH17N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH17N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:944K  samsung
 ssh17n60a.pdf pdf_icon

SSH17N60A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.45 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 0.356 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va

Другие MOSFET... SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , IRF640N , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 .

 

 
Back to Top

 


 
.