SSH17N60A - описание и поиск аналогов

 

SSH17N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH17N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH17N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH17N60A даташит

 ..1. Size:944K  samsung
 ssh17n60a.pdf pdf_icon

SSH17N60A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.45 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) 0.356 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Va

Другие MOSFET... SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , IRFB4110 , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 .

History: SMK0160IS | 2SK2850-01 | SMK0160D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.