SSH20N45 - описание и поиск аналогов

 

SSH20N45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH20N45

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH20N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH20N45 даташит

 ..1. Size:171K  samsung
ssh20n45 ssh20n50.pdfpdf_icon

SSH20N45

Другие MOSFET... SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , IRF640N , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A .

History: G1003A | 05N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.