Справочник MOSFET. SSH20N45

 

SSH20N45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH20N45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH20N45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  samsung
ssh20n45 ssh20n50.pdfpdf_icon

SSH20N45

Другие MOSFET... SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , 10N60 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A .

History: IPAN70R450P7S | AP2306CGN-HF | EMB03N03HR | 2SK3647-01 | HGB480N15M | PSMN5R8-40YS | WMLL020NV8HGS

 

 
Back to Top

 


 
.