Справочник MOSFET. SSH20N50

 

SSH20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  samsung
ssh20n45 ssh20n50.pdfpdf_icon

SSH20N50

Другие MOSFET... SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , IRF3710 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A .

History: BS170PSTZ

 

 
Back to Top

 


 
.