CS7N70F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7N70F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS7N70F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N70F даташит

 ..1. Size:429K  convert
 cs7n70f cs7n70u.pdf pdf_icon

CS7N70F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS7N70F,CS7N70U 700V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS7N70F TO-220F CS7N70F CS7N70

 0.1. Size:1944K  jilin sino
 jcs7n70v jcs7n70r jcs7n70c jcs7n70f jcs7n70s jcs7n70b.pdf pdf_icon

CS7N70F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

 0.2. Size:1228K  jilin sino
 jcs7n70fe.pdf pdf_icon

CS7N70F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N70FE Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max(@Vgs=10V) 1.35 Qg-typ 25.3 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURES

 8.1. Size:347K  crhj
 cs7n70 ard.pdf pdf_icon

CS7N70F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N70 ARD General Description VDSS 700 V CS7N70 ARD, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 7 A PD(TC=25 ) 100 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS7N60P, CS7N65CF, CS7N65CP, CS7N65CU, CS7N65CD, CS7N65F, CS7N65P, CS7N65K, IRF1405, CS7N70U, CS7N80P, CS8N120V, CS8N120W, CS8N60P, CS8N60U, CS8N60D, CS8N65F-B