CS8N120V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS8N120V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для CS8N120V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS8N120V даташит

 ..1. Size:618K  convert
 cs8n120v cs8n120w.pdf pdf_icon

CS8N120V

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS8N120V,CS8N120W 1200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS8N120V TO-3P CS8N120V CS8N

Другие IGBT... CS7N65CU, CS7N65CD, CS7N65F, CS7N65P, CS7N65K, CS7N70F, CS7N70U, CS7N80P, IRFZ46N, CS8N120W, CS8N60P, CS8N60U, CS8N60D, CS8N65F-B, CS8N65F, CS8N65P, CS8N65D