Справочник MOSFET. CS8N70F

 

CS8N70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS8N70F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS8N70F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS8N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  crhj
 cs8n70f a9h2-g.pdf pdf_icon

CS8N70F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N70F A9H2-G General Description VDSS 700 V CS8N70F A9H2-G , the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 ..2. Size:681K  convert
 cs8n70f.pdf pdf_icon

CS8N70F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS8N70F700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS8N70F TO-220F CS8N70FAbsolute Maxim

Другие MOSFET... CS8N120W , CS8N60P , CS8N60U , CS8N60D , CS8N65F-B , CS8N65F , CS8N65P , CS8N65D , 2N7002 , CS8N90F , CS8N90P , CS9N65F , CS9N65D , CS9N80F , CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P .

History: IXTP7N50 | OSG60R022HT3ZF | 2SK2793 | BF1208D | CJAC10TH10 | TPM8205ATS6 | IRFI840GLCPBF

 

 
Back to Top

 


 
.