CS8N70F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS8N70F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 113 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
CS8N70F Datasheet (PDF)
cs8n70f a9h2-g.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N70F A9H2-G General Description VDSS 700 V CS8N70F A9H2-G , the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
cs8n70f.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS8N70F700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS8N70F TO-220F CS8N70FAbsolute Maxim
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
