CS8N70F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS8N70F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS8N70F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS8N70F даташит

 ..1. Size:242K  crhj
 cs8n70f a9h2-g.pdf pdf_icon

CS8N70F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N70F A9H2-G General Description VDSS 700 V CS8N70F A9H2-G , the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25 ) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 ..2. Size:681K  convert
 cs8n70f.pdf pdf_icon

CS8N70F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS8N70F 700V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS8N70F TO-220F CS8N70F Absolute Maxim

Другие IGBT... CS8N120W, CS8N60P, CS8N60U, CS8N60D, CS8N65F-B, CS8N65F, CS8N65P, CS8N65D, MMIS60R580P, CS8N90F, CS8N90P, CS9N65F, CS9N65D, CS9N80F, CS9N80P, CS9N90F, CS9N90P